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还在寻找一颗能完美融入您紧凑设计的微型功率开关吗？DMN26D0UFB4-7正是为您而来。这颗N沟道MOSFET采用先进的3DFN超薄封装，能轻松部署在空间极度受限的PCB上，让您的产品设计更纤薄、更精巧。

它能在1.5V的低驱动电压下高效开启，让您的微控制器直接控制，简化电路设计。凭借20V的耐压和230mA的持续电流能力，配合低至3欧姆的导通电阻，它能为您高效管理负载通断，显著降低功率损耗，是延长电池寿命、提升系统效率的得力助手。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在各种应用环境下的稳定表现。

总而言之，DMN26D0UFB4-7致力于以微小的体积，为您提供可靠、高效的开关解决方案，是便携式设备、物联网模块等追求小型化与低功耗应用的理想选择。

• 型号:DMN26D0UFB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):230mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:14.1 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• DMN26D0UFB4-7，Diodes产品一站式供应商。