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还在为寻找一颗既能承载大电流又具备超低损耗的开关器件而烦恼吗？DMN3007LSSQ-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET的核心使命，就是让您的电源转换或电机驱动应用运行得更高效、更冷静。它凭借仅7毫欧的超低导通电阻，能大幅减少导通状态下的功率损耗，直接将更多电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量。

同时，其优化的栅极特性让开关动作干净利落，显著提升系统响应速度与整体能效。无论是用于提升DC-DC转换器的效率，还是驱动电机实现更精准的控制，DMN3007LSSQ-13都能让您的设计事半功倍，轻松应对高功率密度与高可靠性的双重挑战。

• 型号:DMN3007LSSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2714 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMN3007LSSQ-13，Diodes产品一站式供应商。