还在为电源转换效率难以提升而困扰吗？DMN3008SFG-13正是您期待的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有高达17.6A的电流承载能力和低至4.6毫欧的导通电阻，能显著降低功率损耗，让您的设备运行更凉爽、更高效。
它采用紧凑的PowerDI3333-8封装，非常适合空间受限的高密度设计。优异的开关特性（低栅极电荷）让您轻松实现快速、高效的功率切换，无论是用于同步整流、电机控制还是负载开关，都能让系统性能脱颖而出。
- 型号:DMN3008SFG-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:POWERDI3333-8
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.6A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.6 毫欧 @ 13.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:86 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3690 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:POWERDI3333-8
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- DMN3008SFG-13，Diodes产品一站式供应商。
