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还在为寻找一颗既能扛住大电流，又足够小巧高效的MOSFET而烦恼吗？DMN3009LFV-13正是为您而来的解决方案。它能让您轻松驾驭高达60A的连续电流，凭借仅5.5毫欧的超低导通电阻，显著降低开关过程中的功率损耗，直接提升您系统的整体能效和运行稳定性。

这颗采用先进PowerDI3333-8封装的N沟道MOSFET，专为空间受限的现代电子设备优化。它支持4.5V的低电压驱动，让您的控制电路设计更简单；宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）则确保了它在各种严苛环境下都能可靠工作。无论是用于电源转换、电机控制还是负载开关，它都能帮助您构建更紧凑、更高效、更可靠的电路。

• 型号:DMN3009LFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN3009LFV-13，Diodes产品一站式供应商。