我们为全球各个行业提供Diodes DMN3009LFVW-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗既能处理大电流又具备超高效率的MOSFET而烦恼吗？DMN3009LFVW-7正是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET拥有30V耐压和高达60A的连续电流能力，而其核心魅力在于极低的5毫欧导通电阻（在10V驱动下），能显著减少功率损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉快、更高效。

它专为追求性能的设计而生。低栅极电荷和优化的开关特性，让您轻松实现更高频率的开关操作，从而可以使用更小的外围磁性元件，有效节省电路板空间和整体成本。采用先进的PowerDI3333-8封装，散热性能出众，并支持自动光学检测（AOI），确保大规模生产中的高品质与高可靠性。选择它，就是为您的产品选择了强劲的心脏与持久的耐力。

• 型号:DMN3009LFVW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN3009LFVW-7，Diodes产品一站式供应商。