还在为寻找一颗能兼顾大电流与高效率的P沟道MOSFET而烦恼吗?DMP3007SCG-13就是您期待的答案。这颗芯片能为您做什么?它能让您的电源管理设计焕然一新,凭借高达50A的电流承载能力和低至6.8毫欧的导通电阻,显著降低系统功耗与发热,让能量转换更加高效。
它专为 demanding 应用优化,无论是负载开关、电机驱动还是电池保护电路,都能提供稳定可靠的性能。其紧凑的DFN封装节省空间,宽广的工作温度范围确保在各种环境下稳定运行。选择它,就是选择让您的产品更节能、更可靠、更具竞争力。
- 型号:DMP3007SCG-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:V-DFN3333-8(B 类)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):6.8 毫欧 @ 11.5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):64.2 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2826 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2.4W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:V-DFN3333-8(B 类)
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- DMP3007SCG-13,Diodes产品一站式供应商。