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您是否正在寻找一颗能大幅提升开关电源效率、让系统运行更冷静的核心器件？DMN3009SFGQ-13正是为您而来的解决方案。这颗30V、16A的N沟道MOSFET，凭借其低至5.5毫欧的超低导通电阻，能显著降低功率损耗，直接转化为更高的效率和更低的温升，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。

它专为要求苛刻的应用而设计，集快速开关、高电流处理能力和卓越的散热性能于一身。其车规级AEC-Q101认证和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），为您提供了应对汽车、工业等严酷环境的信心保障。采用紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装，让您能在有限的空间内实现强大的功率控制。

简而言之，DMN3009SFGQ-13能让您轻松驾驭从电机驱动到DC-DC转换的各种挑战，以更少的能量损耗和更高的可靠性，助力您的设计高效达成目标。

• 型号:DMN3009SFGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Ta），45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN3009SFGQ-13，Diodes产品一站式供应商。