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还在寻找能同时兼顾高效率与小体积的功率开关方案吗？DMN3012LFG-13双N沟道MOSFET正是为您而设计。它凭借低至6毫欧的卓越导通电阻，能显著降低传导损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片集成了两个高性能MOSFET于紧凑的PowerDI3333封装内，为您节省宝贵的电路板空间。其优化的栅极电荷和快速的开关速度，让您轻松实现高频开关操作，进一步提升整体系统能效。无论是用于同步整流、负载切换还是电池保护电路，它都能提供稳定可靠的性能，是您打造下一代高能效电子产品的理想选择。

• 型号:DMN3012LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（D 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 20A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A，1.15V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V
• 功率 - 最大值:2.2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerLDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（D 类）
• DMN3012LFG-13，Diodes产品一站式供应商。