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还在为空间受限的设计中如何实现高效、可靠的功率切换而头疼吗？DMN3013LFG-13双N通道MOSFET就是您的理想答案。它集高电流承载（高达15A）、超低导通电阻（14.3毫欧）和快速开关特性于一身，能显著降低系统的导通与开关损耗，让您的电源转换或电机驱动方案效率更高、发热更少。

这颗芯片采用紧凑的PowerDI333封装，为您节省宝贵的电路板空间，同时其优异的散热性能确保稳定运行。无论是同步整流、负载开关还是电机控制，它都能让您轻松应对，大幅提升产品整体性能和可靠性。选择它，就是选择了一种更高效、更紧凑的功率管理路径。

• 型号:DMN3013LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（D 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 9.5A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A（Ta），15A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14.3 毫欧 @ 4A，8V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.7nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:600pF @ 15V
• 功率 - 最大值:2.16W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerLDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（D 类）
• DMN3013LFG-13，Diodes产品一站式供应商。