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还在为功率转换效率瓶颈而困扰吗？DMN3016LDN-13双N沟道MOSFET阵列，就是您突破限制的利器。它能让您的设计轻松驾驭高达9.2A的电流，同时凭借仅20毫欧的超低导通电阻，大幅减少开关过程中的能量损耗和发热，直接提升系统整体能效和可靠性。

这颗芯片专为追求极致效率的您而设计。其优化的栅极特性（Qg仅11.3nC）确保了迅猛的开关响应，非常适合高频DC-DC转换等应用，让您的电源模块运行得更快、更凉、更安静。采用紧凑的VDFN封装，它帮助您在有限的板级空间内实现更高的功率密度，简化散热设计，从而加速产品上市进程。

• 型号:DMN3016LDN-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3030-8（J 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 9.2A 8VDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.2A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.3nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1415pF @ 15V
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:V-DFN3030-8（J 类）
• DMN3016LDN-13，Diodes产品一站式供应商。