我们为全球各个行业提供Diodes DMN3016LDV-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为复杂的双MOSFET布局和散热问题烦恼吗？DMN3016LDV-7为您提供一站式的高效解决方案！这颗芯片将两个高性能的N沟道MOSFET集成在一个微小的PowerDI3333-8封装内，让您轻松实现紧凑、高效的电路设计。

它拥有高达21A的连续电流处理能力和低至12毫欧的导通电阻，能显著降低功率损耗，提升系统整体能效。同时，其优异的开关特性（栅极电荷仅9.5nC）让您的电源转换或电机控制应用响应更迅捷，运行更凉爽。选择它，就是选择让您的产品在性能、尺寸和可靠性上全面领先。

• 型号:DMN3016LDV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 21A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1184pF @ 15V
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
• DMN3016LDV-7，Diodes产品一站式供应商。