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还在寻找一颗能同时兼顾高效能与微型化的双通道开关解决方案吗？DMN61D9UDW-7双N沟道MOSFET阵列正是为您而来。它集成了两个独立的60V/350mA MOSFET通道，凭借其极低的导通电阻和栅极电荷，能显著降低开关损耗和驱动需求，让您的电路运行更加节能、高效。

这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松实现精准的信号路径切换、负载驱动或电平转换。无论是用于便携设备的电源管理，还是数据采集系统中的多路复用，其快速的开关特性和SOT-363超小封装，都能帮助您优化PCB布局，提升系统响应速度，并在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作，确保您产品的可靠性与耐用性。

• 型号:DMN61D9UDW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):350mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.4nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:28.5pF @ 30V
• 功率 - 最大值:320mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• DMN61D9UDW-7，Diodes产品一站式供应商。