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还在寻找一颗能在紧凑空间内扛起大电流、同时保持冷静高效的功率开关吗？DMN3016LFDE-13正是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET拥有30V/10A的强劲规格，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅12mΩ），能显著减少功率损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更持久，直接提升终端产品的能效和可靠性。

它专为高效开关而优化，低栅极电荷和快速的开关特性，让它在DC-DC转换、电机驱动、电源管理等场景中表现出色。采用先进的U-DFN2020-6小型化封装，能轻松融入高密度电路板设计，帮助您节省宝贵的空间。选择它，就是选择以更少的散热顾虑和更高的效率，轻松应对现代电子设计的功率挑战。

• 型号:DMN3016LFDE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1415 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:730mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
• DMN3016LFDE-13，Diodes产品一站式供应商。