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还在为电源设计中的空间与效率难以兼得而烦恼吗？DMN3022LFG-13双N沟道MOSFET阵列正是为您破解这一难题而生。它集成了两个高性能MOSFET于微小的8-PowerLDFN封装内，让您轻松实现紧凑布局，同时凭借低至8毫欧的导通电阻，大幅降低功率损耗，提升整体能效。

这颗芯片能为您做什么？它让您的DC-DC转换器、电机驱动或负载开关电路运行得更凉爽、更高效。其优异的开关特性（低栅极电荷）意味着更快的切换速度和更低的驱动损耗，使系统设计更灵活。无论是追求长续航的便携设备，还是要求高可靠性的工业应用，DMN3022LFG-13都能提供强劲、稳定的功率处理能力，助您轻松打造出更具市场竞争力的产品。

• 型号:DMN3022LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（D 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 7.6A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.6A（Ta），15A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A，1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:481pF @ 15V，996pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.96W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerLDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（D 类）
• DMN3022LFG-13，Diodes产品一站式供应商。