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您正在寻找一颗能轻松驾驭中低功率开关任务，同时最大限度节省电路板空间的“得力干将”吗？DMN3023L-13正是为您而来！这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有30V的漏源电压和高达6.2A的连续电流输出能力，让您的电源路径管理或电机驱动设计既强劲又可靠。

它的核心魅力在于极高的效率。仅25毫欧的超低导通电阻，意味着在开关过程中能量损耗极低，能显著提升系统整体能效，延长电池续航。同时，其SOT-23的超小封装，让您能在寸土寸金的PCB上实现高功率密度布局，为产品小型化设计开辟了新的可能。无论是快速开关还是持续导通，它都能让您的应用运行得更冷静、更高效。

• 型号:DMN3023L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:873 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 155°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN3023L-13，Diodes产品一站式供应商。