我们为全球各个行业提供Diodes DMN3024LK3-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能大幅提升系统效率、同时保持设计简洁的功率开关？DMN3024LK3-13正是您期待的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有30V的耐压和高达9.78A的连续电流能力，而其核心魅力在于仅24毫欧的超低导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、更持久。

它专为高效切换而优化，极低的栅极电荷和输入电容让开关动作干净利落，轻松应对高频应用场景。无论是同步整流、DC-DC转换还是电机控制，它都能让您的设计事半功倍。采用经典的TO-252-3表面贴装封装，兼顾了优异的散热性能和PCB空间利用率，简化您的生产流程。

• 型号:DMN3024LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 9.78A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.78A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:608 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.17W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMN3024LK3-13，Diodes产品一站式供应商。