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还在为寻找一颗能在紧凑空间内高效处理功率的MOSFET而烦恼吗？DMN3025LFDF-13正是为您量身打造的解决方案。这颗N沟道MOSFET能轻松承载高达9.9A的电流，并以低至20.5毫欧的导通电阻，显著降低开关损耗和发热，让您的电源转换或电机驱动电路运行得更凉爽、更高效。

它专为追求性能与尺寸平衡的设计而生。超小的6UDFN封装让您能最大化利用宝贵的PCB空间，而其快速的开关特性（栅极电荷仅13.2nC）则确保了系统的高频响应能力。无论是提升便携设备的续航，还是增强工业模块的可靠性，它都能让您的设计脱颖而出，轻松应对各种挑战。

• 型号:DMN3025LFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 9.9A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20.5 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:641 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMN3025LFDF-13，Diodes产品一站式供应商。