我们为全球各个行业提供Diodes DMN3025LFG-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能显著提升电源转换效率、同时保持设计紧凑的MOSFET？DMN3025LFG-13正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有30V耐压和7.5A的强劲电流处理能力，其核心魅力在于仅18毫欧的超低导通电阻，能大幅降低导通损耗，让您的设备运行更凉爽、更高效。

它采用先进的PowerDI3333-8封装，在节省电路板空间的同时提供了出色的散热性能。无论是用于同步整流、电机驱动还是负载开关，其快速的开关特性和宽工作温度范围都能确保稳定可靠的性能，轻松应对各种挑战，助您打造更具市场竞争力的产品。

• 型号:DMN3025LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 7.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:605 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN3025LFG-13，Diodes产品一站式供应商。