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还在寻找一颗能完美平衡性能、尺寸与成本的功率开关吗？DMN3027LFG-13正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有30V的耐压和5.3A的强劲电流能力，其核心魅力在于低至18.6毫欧的超低导通电阻，能显著减少开关损耗和发热，让您的电源系统运行得更高效、更凉爽。

它采用紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装，为您节省宝贵的电路板空间，同时其优异的散热设计确保在严苛环境下稳定工作。无论是用于电机驱动、负载开关还是DC-DC转换，它都能让您轻松实现高效、可靠的功率控制，全面提升终端产品的能效表现和市场竞争力。

• 型号:DMN3027LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18.6 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN3027LFG-13，Diodes产品一站式供应商。