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还在为寻找一颗既能承载大电流又兼顾高效与紧凑的MOSFET而烦恼吗？DMN3030LSS-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有30V耐压和高达9A的连续漏极电流能力，其核心魅力在于极低的18毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗和发热，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

它采用易于焊接的8-SOP表面贴装封装，为您节省宝贵的电路板空间。更令人惊喜的是，仅需4.5V的驱动电压即可实现低导通电阻，并具备快速的开关特性（栅极电荷仅25nC），让您轻松实现高效率、高频率的电路设计。无论是提升现有产品性能，还是开发新一代紧凑型设备，DMN3030LSS-13都是您值得信赖的伙伴。

• 型号:DMN3030LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:741 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMN3030LSS-13，Diodes产品一站式供应商。