还在为电源路径上的功率损耗头疼吗?DMP3017SFK-7正是为您而来的高效解决方案。这颗P沟道MOSFET就像一个反应迅捷、损耗极低的智能开关,它能轻松处理高达10.4A的连续电流,而其低至14毫欧的导通电阻,意味着电能可以更顺畅地通过,显著减少发热,直接提升您的系统整体效率。
更令人惊喜的是,它仅需4.5V的电压即可完全开启,让您能直接用MCU或逻辑电平轻松驱动,省去复杂的电平转换电路。无论是用于电池保护、负载开关,还是DC-DC转换,它都能让您的设计更简洁、运行更凉爽、续航更持久。选择它,就是为您的产品选择了一个可靠高效的能量控制核心。
- 型号:DMP3017SFK-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:U-DFN2523-6
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 30V 10.4A 6UDFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.4A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):14 毫欧 @ 9.5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):90 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4414 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):1W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:U-DFN2523-6
- 封装/外壳:6-PowerUDFN
- DMP3017SFK-7,Diodes产品一站式供应商。