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DMN3032LFDB-13 零件图片(仅供参考)

DMN3032LFDB-13
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DMN3032LFDB-13 规格参数

还在为功率转换电路的体积和发热问题烦恼吗?让DMN3032LFDB-13来为您解决!这颗来自Diodes Incorporated的双N沟道MOSFET阵列,是专为空间受限的高效应用而生的功率开关利器。

它能让您轻松驾驭高达6.2A的连续电流,凭借仅30毫欧的超低导通电阻,大幅降低功率损耗和发热,从而提升整个系统的能源效率。其超小的UDFN2020-6封装,让您能在极其紧凑的电路板上实现高密度设计,同时确保从-55°C到150°C的宽温范围内稳定工作。

无论是用于电源管理、电机驱动还是负载开关,DMN3032LFDB-13都能以快速的开关响应和卓越的可靠性,让您的产品运行得更高效、更冷静、更持久。

  • 型号:DMN3032LFDB-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:U-DFN2020-6(B 类)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 N-通道(双)
  • FET 功能:-
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.2A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):30 毫欧 @ 5.8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):10.6nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):500pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:1W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
  • 供应商器件封装:U-DFN2020-6(B 类)
  • DMN3032LFDB-13,Diodes产品一站式供应商。
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DMN3032LFDB-13 基本参数:

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