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您正在寻找一颗能在大电流切换任务中既保持高效又节省空间的“全能选手”吗？DMN3032LFDBQ-13正是为此而生。这颗双N沟道MOSFET芯片，拥有30V耐压和6.2A的持续电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅30毫欧），能大幅降低开关过程中的功率损耗，直接为您提升系统能效，减少散热设计压力。

它采用先进的UDFN2020微型封装，让您能在极其紧凑的电路板上实现强大的功率控制功能。同时，符合AEC-Q101车规标准与宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保了它在汽车电子、工业控制等严苛环境下的长期稳定运行。选择DMN3032LFDBQ-13，就是选择了一种让您的产品更高效、更可靠、更具竞争力的智能功率解决方案。

• 型号:DMN3032LFDBQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.2A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 5.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.6nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:500pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
• DMN3032LFDBQ-13，Diodes产品一站式供应商。