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还在寻找一颗能同时兼顾高效率与高集成度的MOSFET吗？DMN3033LSDQ-13正是为您而来的解决方案。这颗双N沟道MOSFET拥有30V的耐压和6.9A的连续电流能力，其核心魅力在于低至20毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接提升您的电源转换效率，让设备运行更凉爽、更持久。

它采用紧凑的8-SOIC封装，非常适合空间受限的现代电子设备。更低的栅极电荷确保了快速的开关响应，让您轻松实现更高频率的电源设计，从而缩小被动元器件的体积。无论是用于电机驱动、DC-DC转换还是负载开关，它都能让您的系统运行更加高效、可靠。

• 型号:DMN3033LSDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.9A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 6.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:725pF @ 15V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMN3033LSDQ-13，Diodes产品一站式供应商。