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您正在寻找一颗能大幅提升电路效率、同时节省宝贵空间的功率开关吗？DMN3033LSNQ-7正是您理想的答案。这颗N沟道MOSFET拥有30V耐压和6A的强大电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅30毫欧@10V），能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的设备运行更凉爽，电池续航更持久。

它专为高效开关而优化，其低栅极电荷和输入电容让开关速度更快，驱动更轻松，特别适合高频应用的DC-DC转换器、负载开关和电机驱动。紧凑的SC-59封装让它能轻松融入空间受限的便携式设计，从可穿戴设备到智能手机主板都游刃有余。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心动力。

• 型号:DMN3033LSNQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SC-59-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 6A SC59
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:755 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SC-59-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN3033LSNQ-7，Diodes产品一站式供应商。