我们为全球各个行业提供Diodes DMN3050S-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能大幅提升电路开关效率的“核心动力”吗？DMN3050S-7正是这样一款利器。它是一款N沟道MOSFET，拥有30V的耐压和高达5.2A的电流处理能力，超低的导通电阻能让您的电源路径损耗显著降低，从而提升整体能效，让设备运行更凉爽、续航更持久。

这颗芯片能为您做什么？它能轻松胜任负载开关、DC-DC转换器中的同步整流、电机驱动等关键任务。其紧凑的SOT-23-3封装让您能在极其有限的空间内实现高性能的功率控制，简化布局，加速产品开发进程。选择它，就是为您的设计注入高效与可靠的双重保障。

• 型号:DMN3050S-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 5.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:390 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN3050S-7，Diodes产品一站式供应商。