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还在为空间有限的电路板寻找一颗强劲又高效的“心脏”吗？DMN3051LDM-7 N沟道MOSFET就是您的理想之选！它能在仅30V的电压下，稳定承载高达4A的连续电流，其超低的导通电阻（最低38毫欧）能显著减少开关损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

这颗芯片专为追求高效率的设计而生。它拥有极低的栅极电荷和快速的开关特性，能轻松胜任高频DC-DC转换、负载开关和电机控制等任务。紧凑的SOT-26封装让它能轻松融入任何空间紧张的设计中，而宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）则确保了它在各种环境下都能可靠工作。选择它，就是为您的产品选择了高效、可靠与紧凑的完美平衡。

• 型号:DMN3051LDM-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 4A SOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:38 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:424 pF @ 5 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6
• DMN3051LDM-7，Diodes产品一站式供应商。