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还在为寻找一颗既能扛住大电流，又足够小巧精致的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP3018SFV-13就是您的理想答案。这颗来自Diodes Incorporated的功率器件，拥有30V/11A（Ta）的稳健规格，其核心价值在于极低的导通电阻（仅12毫欧@10V），能显著减少开关过程中的功率损耗，直接为您提升终端设备的整体能效和续航能力。

它采用节省空间的PowerDI3333-8表面贴装封装，让您在紧凑的电路板上也能实现强大的功率管理功能。无论是用于DC-DC转换、负载开关还是电机控制，DMP3018SFV-13都能让您的设计更高效、更可靠。其优异的电气特性和宽温工作范围，确保您的产品在各种应用场景下都表现出色。

• 型号:DMP3018SFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta），35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2147 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMP3018SFV-13，Diodes产品一站式供应商。