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还在为空间紧张的电路板寻找一颗强效的“能量开关”吗？DMN3052L-7正是您理想的解决方案。这颗N沟道MOSFET能在仅2V的低驱动电压下高效开启，轻松驾驭高达5.4A的电流，同时将导通损耗降至最低，让您的便携设备续航更持久，系统运行更凉爽。

它集30V的耐压能力与SOT-23-3微型封装于一身，完美适配各种紧凑型低压应用。无论是作为电源路径的智能开关，还是在DC-DC转换器中实现高效同步整流，DMN3052L-7都能以出色的性能和可靠性，助您简化设计，提升产品整体能效。

• 型号:DMN3052L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:32 毫欧 @ 5.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:555 pF @ 5 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN3052L-7，Diodes产品一站式供应商。