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还在寻找那颗能兼顾高效能与紧凑设计的“核心开关”吗？DMN3053L-7正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有30V的漏源电压和高达4A的连续电流能力，其精髓在于仅45毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

它采用微小的SOT-23封装，为您节省宝贵的电路板空间，同时支持2.5V的低电压驱动，让您能轻松搭配各类主控芯片。无论是提升便携设备的续航，还是优化模块的功率密度，DMN3053L-7都能以卓越的电气性能和可靠性，成为您设计中值得信赖的功率开关解决方案。

• 型号:DMN3053L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:676 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:760mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN3053L-7，Diodes产品一站式供应商。