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还在为空间有限的电路板寻找强大的功率开关吗？DMN3060LVT-13正是您的理想之选。这颗芯片能为您做什么？它集成了两个高性能的N沟道MOSFET，让您仅用一颗器件就能轻松实现双路高达3.6A的负载控制或开关任务，极大节省PCB面积，简化您的布局设计。

凭借其低至60毫欧的导通电阻和仅11.3nC的栅极电荷，它能显著降低功率损耗和开关损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。无论是用于电源管理、电机驱动还是信号切换，它都能提供快速、可靠的响应。其30V的漏源电压和宽广的工作温度范围，确保它在各种应用环境中稳定工作，助您轻松打造出性能出众且续航持久的终端产品。

• 型号:DMN3060LVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TSOT23-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.6A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.3nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:395pF @ 15V
• 功率 - 最大值:830mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
• DMN3060LVT-13，Diodes产品一站式供应商。