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还在为电路板上的空间和效率发愁吗？DMP3056LSD-13这颗双P沟道MOSFET阵列，就是为您解决这些痛点的利器。它能轻松驾驭高达6.9A的电流，并以低至45毫欧的导通电阻，显著降低开关损耗，让您的设备运行更凉爽、更持久。

这颗芯片专为逻辑电平驱动优化，仅需2.1V的电压即可高效开启，让您可以直接用微处理器进行控制，简化电路设计。无论是用于电源切换、电机驱动还是负载管理，它都能让您以更小的体积和更高的可靠性，实现强大的功率处理能力。

• 型号:DMP3056LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.9A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.7nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:722pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMP3056LSD-13，Diodes产品一站式供应商。