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还在寻找一颗能同时搞定空间限制与性能要求的功率开关吗？DMN3061SVT-13正是为您而来的解决方案。这颗双N通道MOSFET阵列，将两个高性能开关集成于微小的TSOT-26封装内，让您轻松实现高密度板级设计，同时毫不妥协于性能。

它拥有30V的耐压和3.4A的持续电流能力，配合低至60毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗，提升系统整体能效。无论是用于负载开关、电机驱动，还是DC-DC转换器中的同步整流，它都能让您的设备运行更凉爽、更持久。其优异的开关特性（低栅极电荷）和宽广的工作温度范围，更确保了在各种应用环境下的稳定与可靠。

• 型号:DMN3061SVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.4A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.6nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:278pF @ 15V
• 功率 - 最大值:880mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
• DMN3061SVT-13，Diodes产品一站式供应商。