还在寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的功率开关吗?DMN601WK-7正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有60V的耐压和300mA的电流处理能力,却精巧地封装在微型的SOT-323里,专为空间受限的现代电子设备量身打造。
它能为您做什么?它能让您轻松实现高效的负载切换、电源路径管理和信号控制。其低导通电阻和低输入电容的特性,意味着更少的能量损耗和更快的开关速度,直接提升您产品的续航与响应能力。无论是便携消费电子、智能穿戴,还是工业控制模块,选择它,就是选择了一种让设计更简洁、让产品更可靠的高效解决方案。
- 型号:DMN601WK-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-323
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2 欧姆 @ 500mA,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):50 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):200mW(Ta)
- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-323
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- DMN601WK-7,Diodes产品一站式供应商。