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还在寻找一颗能同时节省空间和提升效率的“双核”功率开关吗？DMN3061SVT-7正是您的理想答案。这颗由Diodes Incorporated精心打造的双N沟道MOSFET阵列，将两个独立的30V/3.4A开关集成于微型TSOT-26封装内，让您在寸土寸金的PCB上轻松实现更复杂的电路功能。

它凭借低栅极电荷和输入电容，为您带来极高的开关效率，显著降低驱动损耗和发热。无论是用于同步整流提升电源转换效率，还是作为紧凑的负载开关管理多个电源轨，它都能让您的设计更加高效、可靠。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而精巧的“动力心脏”。

• 型号:DMN3061SVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.4A TSOT23-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.6nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:278pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.08W（Ta）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
• DMN3061SVT-7，Diodes产品一站式供应商。