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还在为空间有限的PCB板寻找性能强大的开关元件吗？DMN3065LW-7正是您的理想之选！这颗N沟道MOSFET能在30V电压下顺畅处理4A电流，并以低至52毫欧的导通电阻大幅降低开关损耗，直接提升您的系统整体能效。

它能让您轻松驱动各类负载，无论是作为高效的负载开关，还是集成到DC-DC转换电路中，其2.5V的低门槛驱动电压让它与现代低压MCU无缝协作，简化设计。超小的SOT-323封装为您节省每一毫米的板级空间，同时确保从-55°C到150°C的稳定运行，助您打造更紧凑、更可靠、续航更持久的产品。

• 型号:DMN3065LW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:52 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:465 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:770mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• DMN3065LW-7，Diodes产品一站式供应商。