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还在为寻找一颗既能大电流开关又足够小巧的P-MOSFET而烦恼吗？DMP1012UCB9-7正是为您量身打造的解决方案。这颗8V/10A的P沟道MOSFET，凭借其低至10毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久，轻松实现高效能电源管理。

它采用先进的U-WLB1515-9超微型封装，在为您节省宝贵电路板空间的同时，其2.5V的低驱动电压让它可以被大多数微控制器轻松驾驭，简化您的设计。无论是用于电池供电设备的负载开关，还是高密度板卡上的电源切换，DMP1012UCB9-7都能以卓越的效率和可靠性，助您一臂之力。

• 型号:DMP1012UCB9-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-WLB1515-9
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:8 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:-6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 4 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:890mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-WLB1515-9
• 封装/外壳:9-UFBGA，WLBGA
• DMP1012UCB9-7，Diodes产品一站式供应商。