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还在为负载开关的效率与尺寸发愁吗？DMN3067LW-7正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET能为您高效、可靠地控制高达2.6A的电流，其核心魅力在于极低的导通电阻，能显著减少功率损耗和发热，让您的设备运行更凉爽，电池续航更持久。

它采用超紧凑的SOT-323封装，能轻松融入空间受限的便携式设计，如智能手机、TWS耳机或物联网传感器。同时，宽广的工作温度范围确保其在各种严苛环境下稳定工作。选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲、高效且省心的“能量开关”。

• 型号:DMN3067LW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:67 毫欧 @ 2.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:447 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• DMN3067LW-7，Diodes产品一站式供应商。