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还在为空间有限的PCB布局发愁吗？DMN3070SSN-7这颗N沟道MOSFET，正是您解决高密度设计难题的答案。它采用微型SC-59贴片封装，却能轻松驾驭30V电压和4.2A的连续电流，让您在寸土寸金的电路板上实现强大的功率开关与控制功能。

这颗芯片能为您做什么？它卓越的低导通电阻（典型值仅40毫欧）和快速的开关特性，能显著降低功率损耗和发热，直接提升您产品的整体能效与可靠性。无论是用于电池保护电路、DC-DC转换器还是电机驱动，它都能让您的设计运行更高效、更凉爽。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏。

• 型号:DMN3070SSN-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SC-59-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 4.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:697 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:780mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SC-59-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN3070SSN-7，Diodes产品一站式供应商。