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还在为高压、小电流开关应用寻找一颗既可靠又省空间的“心脏”吗？DMN30H4D1S-13正是您期待的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有300V的高耐压和430mA的电流处理能力，让您能在AC-DC电源、LED驱动等高压侧设计中，轻松实现高效、稳定的功率切换。

它的卓越之处在于，仅需4.5V至10V的驱动电压，就能获得极低的导通电阻，大幅减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。同时，超低的栅极电荷和输入电容，意味着更快的开关速度和更简单的驱动设计，助您轻松优化电路性能，提升整体响应速度。

采用紧凑的SOT-23表面贴装封装，DMN30H4D1S-13能为您节省宝贵的电路板空间，非常适合高密度设计。其坚固的构造和宽广的工作温度范围，确保了在各种环境下的长期稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了一颗高效、紧凑且值得信赖的动力核心。

• 型号:DMN30H4D1S-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 300V 430MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):430mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 300mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:174 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN30H4D1S-13，Diodes产品一站式供应商。