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还在为空间紧张和效率瓶颈发愁吗？让DMN3110LCP3-7来改变局面！这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，集30V耐压与3.2A连续电流能力于一身，却拥有仅69毫欧的超低导通电阻。这意味着它能以极小的电压损失，高效地控制电流通断，直接为您带来更低的功耗和更长的设备续航。

得益于其1.8V的低驱动门槛和微小的栅极电荷，它能被轻松、快速地驱动，显著降低开关损耗，让您的电源管理电路运行得更“冷静”、更高效。无论是用于负载开关、电机驱动还是DC-DC转换，它都能让您的设计事半功倍。其超紧凑的3DFN封装，更是为您在寸土寸金的电路板上腾出宝贵空间，助力实现更轻薄、更集成的产品设计。

• 型号:DMN3110LCP3-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，8V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:69 毫欧 @ 500mA，8V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.52 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.38W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• DMN3110LCP3-7，Diodes产品一站式供应商。