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您正在设计需要高效电源切换的紧凑型电子产品吗？DMN3150LW-7正是为您而来的解决方案。这颗由Diodes Incorporated打造的N沟道MOSFET，集28V耐压与1.6A电流能力于一身，却仅占用微小的SOT-323封装空间，让您轻松实现高密度电路板布局。

它的核心价值在于极高的能效。凭借低至88毫欧的导通电阻，它能显著降低开关过程中的功率损耗，直接将更多电能用于实际工作，而非转化为无用热量。这意味着您的设备续航更持久，运行更冷静可靠。无论是用于便携设备的负载开关、电机驱动，还是电源管理模块，它都能提供快速、干净的开关动作，让您的系统性能更加稳定高效。

• 型号:DMN3150LW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 28V 1.6A SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:28 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 1.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:305 pF @ 5 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• DMN3150LW-7，Diodes产品一站式供应商。