我们为全球各个行业提供Diodes DMN3190LDW-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的开关解决方案吗？DMN3190LDW-13双N沟道MOSFET阵列正是您的理想之选。它集成了两个逻辑电平驱动的MOSFET，拥有30V的耐压和1A的连续电流能力，其超低的导通电阻（仅190毫欧）能显著减少功率损耗，让您的便携式设备续航更持久，运行更高效。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现高效的负载切换、电源管理和信号路由。其SOT-363超小封装为您节省宝贵的电路板空间，非常适合空间受限的现代电子产品设计。无论是用于电池供电设备、智能传感器还是消费电子，DMN3190LDW-13都能以卓越的能效和可靠性，提升您产品的整体竞争力。

• 型号:DMN3190LDW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 1.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:87pF @ 20V
• 功率 - 最大值:320mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• DMN3190LDW-13，Diodes产品一站式供应商。