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还在为寻找一颗既能节省空间又能扛起大梁的功率开关而烦恼吗？ZXM64P02XTC就是您的高效解决方案。这颗P沟道MOSFET专为20V以下的紧凑型应用优化，它能以高达3.5A的电流轻松驱动您的负载，同时凭借低至90毫欧的导通电阻，显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽，电池续航更持久。

它集高性能与微型化于一身，采用节省空间的8-MSOP表面贴装封装，完美适配现代电子产品对轻薄小巧的追求。无论是用于便携设备的电源开关、电机驱动，还是电池管理系统中的保护电路，ZXM64P02XTC都能提供稳定可靠的性能，让您的设计事半功倍，轻松应对各种挑战。

• 型号:ZXM64P02XTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-MSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 2.4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.9 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-MSOP
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118\\
• ZXM64P02XTC，Diodes产品一站式供应商。