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还在为空间有限的电路板寻找一颗高效、可靠的开关核心吗？DMN31D5UFZ-7B正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET专为低压便携设备优化，它能以低至1.2V的电压被轻松驱动，在4.5V下实现仅1.5欧姆的低导通电阻，让您高效管理高达220mA的电流，显著降低功率损耗，直接延长电池寿命。

它采用超微型的X2-DFN0606-3封装，几乎不占用宝贵的PCB面积，让您的设计更加紧凑灵活。同时，其快速的开关特性和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保它在各种严苛环境下都能稳定发挥，是提升您产品可靠性与能效表现的秘密武器。

• 型号:DMN31D5UFZ-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN0606-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 220MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):220mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.35 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22.2 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:393mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN0606-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• DMN31D5UFZ-7B，Diodes产品一站式供应商。