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还在为电路板空间捉襟见肘而发愁吗？DMN32D4SDW-7双N沟道MOSFET阵列，就是您梦寐以求的空间魔术师。它将两个高性能的30V MOSFET集成在微小的SOT-363封装内，让您轻松实现高密度布局，为产品设计赢得宝贵的每一毫米。

这颗芯片能为您做什么？它让您以极低的导通电阻（仅400毫欧）高效控制高达650mA的电流，显著降低开关损耗和热量产生，从而提升整个系统的能源效率。无论是用于负载开关、信号切换还是电机驱动，它都能确保快速、干净的响应，让您的设备运行更流畅、续航更持久。

更重要的是，其宽工作温度范围和稳健的电气特性，为您产品的长期可靠性提供了坚实保障。选择DMN32D4SDW-7，就是选择了一种更智能、更紧凑、更高效的电路解决方案，助您轻松应对现代电子设计的核心挑战。

• 型号:DMN32D4SDW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):650mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 250mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.3nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50pF @ 15V
• 功率 - 最大值:290mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• DMN32D4SDW-7，Diodes产品一站式供应商。