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还在为电路板空间捉襟见肘而烦恼吗？DMN33D8LDW-13正是为您解忧的利器。这颗双N沟道MOSFET阵列，将两个高性能开关集成于微小的SOT-363封装内，让您轻松实现紧凑布局，同时享受高达30V的耐压和250mA的负载驱动能力。

它的卓越之处在于细节：仅2.4欧姆的低导通电阻能显著减少功率损耗，提升效率；而低至1.5V的开启阈值电压，让您可以直接用微处理器的GPIO口轻松驱动，简化电路设计。无论是用于信号路径切换、低功率电机控制，还是电源管理模块，它都能确保快速、干净的开关动作，让您的系统运行更高效、更可靠。

• 型号:DMN33D8LDW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):250mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.23nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:48pF @ 5V
• 功率 - 最大值:350mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• DMN33D8LDW-13，Diodes产品一站式供应商。