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还在为微型电路中的高效开关选择而犹豫吗？DMN33D8LT-7就是您期待的解决方案。这颗N沟道MOSFET能在仅2.5V的低电压下高效启动，轻松驾驭30V、115mA以内的负载，让您的低功耗微控制系统直接驱动外围电路成为现实，设计从此变得无比简洁。

它采用超紧凑的SOT-523封装，几乎不占用宝贵的PCB空间，却拥有出色的电气性能。极低的栅极电荷和输入电容保证了快速的开关响应，显著提升系统效率；宽广的-55°C至150°C工作温度范围，则让您的产品无惧严苛环境挑战，稳定可靠。选择它，就是为您的精巧设备注入一颗强劲而高效的心脏。

• 型号:DMN33D8LT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 10mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:48 pF @ 5 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:240mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
• DMN33D8LT-7，Diodes产品一站式供应商。