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还在为空间有限的电路板寻找一颗高效、可靠的功率开关吗？DMN3731U-13正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有30V耐压和900mA的持续电流能力，其核心价值在于极低的导通电阻与栅极电荷，能让您轻松实现高效的能量切换与控制，显著降低功耗与发热。

它采用微小的SOT-23封装，完美适配您的紧凑型设计，无论是便携设备的负载管理、电机驱动还是电源转换路径，都能游刃有余。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重保障，让设计更简单，性能更出众。

• 型号:DMN3731U-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):900mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:460 毫欧 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:950mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:73 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:400mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN3731U-13，Diodes产品一站式供应商。