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还在寻找一颗能同时兼顾大电流、低损耗和高可靠性的功率开关吗？DMT3006LFG-13正是您期待的答案。这颗30V N沟道MOSFET拥有高达55.6A的电流处理能力和低至6毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗和发热，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它采用紧凑的PowerDI3333封装，节省宝贵板级空间，同时其符合AEC-Q101车规认证，确保在-55°C至150°C的极端温度下性能依然稳定可靠。无论是提升能效、简化散热设计，还是增强产品在恶劣环境下的耐用性，DMT3006LFG-13都能让您轻松达成设计目标，为您的应用注入强劲而持久的动力核心。

• 型号:DMT3006LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Ta），55.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1320 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:27.8W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT3006LFG-13，Diodes产品一站式供应商。